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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://repositorio.unb.br/handle/10482/12636
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Titre: Análise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSI
Autre(s) titre(s): Comparative analysis between carbon nanotube interconnects and copper interconnects for GSI/TSI circuits
Auteur(s): Nogueira, Camila Peixoto da Silva Madeira
Orientador(es):: Guimarães, Janaína Gonçalves
Assunto:: Nanotecnologia
Circuitos integrados - desempenho
Transistores
Date de publication: 28-mar-2013
Référence bibliographique: NOGUEIRA, Camila Peixoto da Silva Madeira Nogueira. Análise Comparativa entre Interconexões de Nanotubo de Carbono e Interconexões de Cobre para Circuitos GSI/TSI. 2012. xiii, 72 f., Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)—niversidade de Brasília, Brasília, 2012.
Résumé: Nesta dissertação será realizado o estudo de nanotubos de carbono como possíveis substitutos do cobre em interconexões em circuitos integrados GSI e TSI. Dessa forma, os modelos de circuitos do SWCNT (single-walled carbon nanotube) e do cobre serão apresentados e o estudo comparativo do desempenho destes materiais será realizado, considerando diferentes comprimentos das interconexões. Além disso, o efeito destas interconexões será analisado na rede H-tree clock com inversores em seus terminais, também para diferentes comprimentos. Os inversores utilizados são formados por dispositivos de tunelamento mono-elétron. Com este propósito, as interconexões serão simuladas usando o software LTSPICE. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT
In this work, carbon nanotubes as possible candidates to replace copper as interconnects in GSI and TSI integrated circuits are studied. The circuit model of SWCNT (single-walled carbon nanotube) and of copper are presented and a comparison between both materials is studied, considering different interconnect lengths. In addition, interconnects effect is analyzed in the H-tree clock network using inverters in its ends. The inverters are formed by mono-electron tunneling devices. For this purpose, the interconnects will be simulated using LTSPICE software.
metadata.dc.description.unidade: Faculdade de Tecnologia (FT)
Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)
Description: Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012.
metadata.dc.description.ppg: Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Collection(s) :Teses, dissertações e produtos pós-doutorado

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