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2012_CamilaPeixotoSilvaMadeiraNogueira.pdf1,66 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
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dc.contributor.advisorGuimarães, Janaína Gonçalves-
dc.contributor.authorNogueira, Camila Peixoto da Silva Madeira-
dc.date.accessioned2013-03-28T12:50:22Z-
dc.date.available2013-03-28T12:50:22Z-
dc.date.issued2013-03-28-
dc.date.submitted2012-09-27-
dc.identifier.citationNOGUEIRA, Camila Peixoto da Silva Madeira Nogueira. Análise Comparativa entre Interconexões de Nanotubo de Carbono e Interconexões de Cobre para Circuitos GSI/TSI. 2012. xiii, 72 f., Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)—niversidade de Brasília, Brasília, 2012.en
dc.identifier.urihttp://repositorio.unb.br/handle/10482/12636-
dc.descriptionDissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012.en
dc.description.abstractNesta dissertação será realizado o estudo de nanotubos de carbono como possíveis substitutos do cobre em interconexões em circuitos integrados GSI e TSI. Dessa forma, os modelos de circuitos do SWCNT (single-walled carbon nanotube) e do cobre serão apresentados e o estudo comparativo do desempenho destes materiais será realizado, considerando diferentes comprimentos das interconexões. Além disso, o efeito destas interconexões será analisado na rede H-tree clock com inversores em seus terminais, também para diferentes comprimentos. Os inversores utilizados são formados por dispositivos de tunelamento mono-elétron. Com este propósito, as interconexões serão simuladas usando o software LTSPICE. ______________________________________________________________________________ ABSTRACTen
dc.description.abstractIn this work, carbon nanotubes as possible candidates to replace copper as interconnects in GSI and TSI integrated circuits are studied. The circuit model of SWCNT (single-walled carbon nanotube) and of copper are presented and a comparison between both materials is studied, considering different interconnect lengths. In addition, interconnects effect is analyzed in the H-tree clock network using inverters in its ends. The inverters are formed by mono-electron tunneling devices. For this purpose, the interconnects will be simulated using LTSPICE software.en
dc.language.isoPortuguêsen
dc.rightsAcesso Abertoen
dc.titleAnálise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSIen
dc.title.alternativeComparative analysis between carbon nanotube interconnects and copper interconnects for GSI/TSI circuitsen
dc.typeDissertaçãoen
dc.subject.keywordNanotecnologiaen
dc.subject.keywordCircuitos integrados - desempenhoen
dc.subject.keywordTransistoresen
dc.description.unidadeFaculdade de Tecnologia (FT)pt_BR
dc.description.unidadeDepartamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)pt_BR
dc.description.ppgPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
Aparece nas coleções:Teses, dissertações e produtos pós-doutorado

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