Análise comparativa de nanoFETs reconfiguráveis

Abstract

Em transistores de efeito de campo baseados em nanomateriais (nanoFETs), a dopagem eletrostática pode ser induzida por campos elétricos originados de múltiplas portas independentes. Dessa forma, os nanoFETs são candidatos ideais para a exploração de reconfigurabilidade. O desempenho de quatro geometrias reconfiguráveis (R) nanoFET é investigado com a solução das equações de Poisson e Deriva-Difusão acopladas respectivamente para o potencial eletrostático tridimensional e a para carga de canal unidimensional. Ainda é averiguado o impacto do escalamento do canal e do ajuste da tensão de alimentação. As arquiteturas examinadas são compostas por FETs de uma (1G), duas (2G) e três (3G) portas sob o canal com comprimento meio de micrômetro. Portanto, os R-nanoFETs investigados teoricamente podem ser fabricados com custos baixos, permitindo que as projeções de desempenho sejam testadas. O 2G R-nanoFET provou ser a arquitetura mais versátil quando nenhuma otimização específica do aplicativo é tentada. No entanto, todas as geometrias consideradas oferecem propriedades interessantes. Ao conectar a porta de programação ao dreno, o roteamento local é simplificado e o desempenho só diminui levemente. O 1G R-nanoFET oferece ganhos intrínsecos razoáveis ao custo do aumento da dissipação de energia estática. Por fim, um 3G R-nanoFET permite opções adicionais de configuração dinâmica e a operação de ligar/ desligar mais rápida devido à porta de controle posicionada a uma distância maior dos outros contatos metálicos.