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Título: Dinâmica de cargas em nanofitas de siliceno
Autor(es): Silva, Jailson Gomes da
E-mail do autor: jailsonfis@gmail.com
Orientador(es): Fonseca, Antonio Luciano de Almeida
Assunto: Siliceno
Densidade
Pólarons
Nanofitas armchair
Data de publicação: 24-Abr-2023
Referência: SILVA, Jailson Gomes da. Dinâmica de crescimento de interface: relação entre geometria fractal da superfície e os expoentes de Kardar-Parisi-Zhang. 2022. 78 f. il. Tese (Doutorado em Física) — Universidade de Brasília, Brasília, 2022.
Resumo: Neste trabalho relatamos os efeitos do acoplamento elétron-fônon na distribuição de densidade de polarons em nanofitas de siliceno por meio do modelo tight-binding estendido com relaxação de rede. Os resultados mostram que a distribuição de carga nas nanofitas de siliceno é análoga à do grafeno e que a localização da carga aumenta quando a intensidade do acoplamento elétron-fônon também aumenta. Mostramos ainda que as nanofitas de siliceno podem ser um material condutor ou semicondutor, dependendo da largura da nanofita. Avaliamos o comportamento cinemático do centro de carga associado ao pólaron para diferentes intensidades de campo elétrico implementado ao sistema de forma adiabática. Consideramos três valores de acoplamento elétron-fônon a fim de verificarmos o grau de estabilidade da carga ao longo das nanofitas. Deste modo, mostramos que flutuações nos valores das velocidades médias do pólaron ocorrem assim que a velocidade da quase-partícula se aproxima de uma valor de saturação. Verificamos que densidade média de distribuição de carga é fortemente modificada devido a presença de campo elétrico mais intenso. Verificamos ainda que o acoplamento elétron-fônon é um parâmetro fundamental na descrição do transporte de pólaron em nanofitas armchair, uma vez que este altera de forma significativa o tempo em que a carga se dispersa ao longo da rede. Além de contribuir intensamente para o aumento ou redução na velocidade média dos portadores de carga em nanofitas armchair de siliceno, sistema de grande interesse nanocientífico e nanotecnológico.
Abstract: In this work we report the effects of electron-phonon coupling on the density distribution of charges in silicene nanoribbons by the using the extended tight-binding model with lattice relaxation. The results show that the charge distribution on the silicon nanoribbons is analogous to that of graphene and that the charge location increases when the intensity of the electron-phonon coupling also increases. We also show that silicon nanoribbons can be a conductive or semiconducting material, depending on the width of the nanoribbons. We evaluated the kinematic behavior of the charge center associated with the polaron for different electric field strengths implemented in the system in an adiabatic way. We considered three values of electron-phonon coupling in order to verify the degree of charge stability along the length nanoribbons. In this way, we show that fluctuations in the values of the average polaron velocities occur as the quasi-particle velocity approaches a saturation value. We verified that the average density of charge distribution is strongly modified due to the presence of a more intense electric field. We also verified that electron-phonon coupling is a fundamental parameter in the description of polaron transport in armchair silicene nanoribbons, since it significantly alters the time in which the charge disperses along the lattice. In addition to contributing intensely to the increase or reduction in the average speed of charge carriers in armchair silicene nanoribbons, system of the great nanoscientific and nanotechnological interest.
Unidade Acadêmica: Instituto de Física (IF)
Informações adicionais: Tese (doutorado) — Universidade de Brasília, Instituto de Física, Programa de Pós-Graduação em Física, 2022.
Programa de pós-graduação: Programa de Pós-Graduação em Física
Licença: A concessão da licença deste item refere-se ao termo de autorização impresso assinado pelo autor com as seguintes condições: Na qualidade de titular dos direitos de autor da publicação, autorizo a Universidade de Brasília e o IBICT a disponibilizar por meio dos sites www.bce.unb.br, www.ibict.br, http://hercules.vtls.com/cgi-bin/ndltd/chameleon?lng=pt&skin=ndltd sem ressarcimento dos direitos autorais, de acordo com a Lei nº 9610/98, o texto integral da obra disponibilizada, conforme permissões assinaladas, para fins de leitura, impressão e/ou download, a título de divulgação da produção científica brasileira, a partir desta data.
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