| Fecha de publicación | Data de defesa | Título | Autor(es) | Orientador(es) | Coorientador(es): |
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| abr-2009 | - | Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells | Enders Neto, Bernhard Georg; Lima, Fábio Menezes de Souza; Fonseca, Antonio Luciano de Almeida; Nunes, O. A. C.; Silva Júnior, Eronides Felisberto da | - | - |